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台积电：5nm制程晶体管增加1.8倍，三星仅增2成
（观察者网讯 文/吕栋）
10月21日，据台湾《经济日报》报道，台积电内部消息称，台积电5纳米制程试产结果显示，晶体管数是7纳米的1.8倍，而竞争对手三星却仅增加二成，且台积电功耗等芯片效能都超过竞争对手，制程工艺领先。
据报道，台积电不愿透露有多少客户采用5纳米制程，但台积电强调，这项全数采用极紫外光（EUV）微影设备的制程，已兼具效能和成本等因素，客户也预期将会有很好的销售表现，才会要求为其准备产能。
台积电供应链透露，台积电5纳米已吸引包括苹果、超威、海思、高通、比特大陆等一线大厂，量产时间或将提前至明年3月。
此外，5纳米月产能已由原定的4.7万片增至5.1万片，P3厂决定加快建厂行程，并导入5纳米强化版，月产能规划近3万片，使5纳米月产能增至8万片以上。
图自台媒
台积电总裁魏哲家日前表示，台积电7纳米和5纳米将会是明年营收增长主力，7纳米营收占比第3季已达27%，本季将超越三成，全年占比25%，明年还会高于今年。至于5纳米明年营收占比，暂不对外公布。
岛内业界解读称，台积电押宝5纳米，是希望借5纳米完封三星。
台积电日前发布会宣布，上调今年资本支出，由原订上限110亿美元，上调为140亿至150亿美元，为历年来最大手笔，上修幅度达27.27%到40%，高于外资法人预期。
台积电表示，这次大幅上调资本支出，主因是客户需求超出原先预期，而且增加的40亿美元资本支出，有25亿美元用5纳米，另外15亿美元用于增加7纳米产能。
面对台积电来势汹汹，韩国大厂三星也不甘于落后。
据韩媒报道，为达成2030年成为全球第一半导体大厂的目标，并超越台积电，抢占未来2到3年的5G商用化所带来的半导体市场需求，三星已向全球微影曝光设备大厂ASML订购15台先进EUV设备，价值3万亿韩元，约合181亿人民币，交付分三年进行。
三星电子自2005年进入晶圆代工领域，目前已经7nm EUV技术已实现量产。三星计划，6nm制程在2019年下半年开始量产，5nm制程在2020年上半年量产，3nm制程预计在2021年进入量产。
数据显示，2019年Q3全球晶圆代工产业台积电以50.5%稳坐第一，而近年努力发展先进制程的三星电子以18.5%的市占率位居第二，但三星很显然不愿一直位居次席，一直在扩大半导体投资。
三星今年4月发布一项高达133万亿韩元的系统IC投资，其中60万亿韩元将用于晶圆代工设备投资。去年8月，三星曾发表3年180万亿韩元投资，其中90万亿到100万亿韩元将用于半导体设备。
业内人士透露，为了超越台积电，三星不仅会增加设备投资，还会通过提供技术竞争力来吸引客户。
本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。
标签 台积电- 责任编辑: 吕栋
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