【文/观察者网专栏作者 心智观察所】

2月5日，东京，首相官邸。高市早苗与台积电董事长魏哲家握手的照片登上了日本各大媒体的头条。

在这场精心安排的会谈中，双方讨论了台积电熊本第二工厂引入3纳米先进工艺的计划，高市在会后对媒体表示，台积电的落户对日本经济安全具有“决定性意义”。这个画面似乎在向世界宣告：日本半导体产业的复兴已经驶入快车道。

然而，如果把镜头从首相官邸那间灯光温暖的会议室移开，转向北海道千岁的旷野、熊本菊阳町的工地，以及台北地方检察署的卷宗，呈现在眼前的将是一幅远为复杂的图景。

高市早苗所描绘的“日本半导体大复兴”——以Rapidus的2纳米国产芯片为旗舰，以台积电熊本工厂为锚点——正在从多个维度遭遇严峻挑战。这位日本首位女首相的芯片野心，很可能正在走向一场代价高昂的落空。

要理解这场困局的深层逻辑，必须先回到高市早苗构建的政策框架本身。她在担任经济安全保障大臣期间主导制定的《经济安全保障推进法》，将半导体从普通的电子零部件提升为“特定重要物资”，赋予政府以财政补贴和设备审查手段直接干预关键供应链的权力。出任首相后，她更推出了超过10兆日元（约650亿美元）的公共资金支援方案，意图撬动总计超过50兆日元的官民投资。

这个框架的宏大叙事是：日本要夺回在全球芯片版图中的话语权。但问题在于，宏大叙事与产业现实之间的鸿沟，往往比政治家愿意承认的要深得多。

高市早苗“振兴日本半导体”时间线（@心智观察所制表）

Rapidus，这个被高市早苗视为日本半导体失去的三十年终结者的项目，由丰田、索尼、NTT等八家日企于2022年联合成立的尖端半导体公司，目标是在2027年实现2纳米芯片的量产——这是一个让整个半导体业界既感到深感怀疑的时间表。之所以说深感怀疑，是因为这个跨越的幅度之大，在半导体制造的历史上几乎没有先例。

资金，是悬在Rapidus头顶最显眼的那把达摩克利斯之剑。截至目前，日本政府已向Rapidus承诺了约9200亿日元的补贴，2026年初软银和索尼又分别追加了210亿日元的投资。但根据业界估算，仅完成试生产就需要约2兆日元，量产阶段还需要追加约3兆日元。也就是说，Rapidus面临的资金缺口高达数兆日元的量级。

八家创始企业的初始投资总额仅为73亿日元——与政府补贴相比，这个数字小到几乎可以忽略不计，折射出的是日本民间资本对这场豪赌的真实态度：礼貌性参与，谨慎性观望。有企业高管私下对媒体坦言：“面对政府的请求我们很难拒绝投资，但坦率地说，对于一家连原型产品都没有的公司，正常情况下我们不会主动出钱。”日本三大银行——三菱UFJ、三井住友和瑞穗——虽然在政府协调下同意提供贷款，但普遍要求政府提供债务担保，这本身就说明了金融机构对Rapidus商业前景的真实判断。

Rapidus北海道厂（效果图）

比资金更棘手的，是技术路线的结构性短板。Rapidus的2纳米工艺基于IBM转让的GAA（Gate-All-Around，全环绕栅极）晶体管架构。IBM在纽约奥尔巴尼的研发中心确实在实验室层面展示了2纳米原型，Rapidus也向该中心派遣了超过150名工程师进行联合开发和培训。2025年7月，Rapidus宣布在北海道千岁的IIM-1工厂成功制造出GAA晶体管原型晶圆，电气特性达到预期目标。这无疑是一个里程碑。但从实验室的原型到可商业化的大规模量产之间，横亘着一段被业界称为“死亡之谷”的漫长旅程，而Rapidus在这段旅程中的装备远谈不上充分。

最关键的技术缺失之一是背面供电网络（Backside Power Delivery Network，BSPDN）。这项革命性技术通过将电力线路转移到晶圆背面，能够有效降低约30%的功耗损失，同时释放正面的布线空间用于信号传输。英特尔计划在其18A节点（等效2纳米）部署PowerVia背面供电技术，台积电也将在其N2P节点引入Super Power Rail。

而Rapidus的2027年量产路线图中并不包含背面供电——公司表示这一技术将在量产启动后不久提供，但这意味着其初期产品在功耗效率这一AI芯片最核心的性能指标上，从起跑线上就输给了竞争对手。对于以AI加速器和高性能计算为目标客户的代工厂而言，这不是一个可以轻描淡写的劣势。