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三星宣布完成5纳米EUV工艺研发
关键字: 三星光刻光刻机导读4月16日,三星官网发布消息称,三星电子已经成功完成5纳米(nm)极紫外光刻(EUV)开发,以实现芯片的更大面积扩展和带来超低功耗。(观察者网讯)4月16日,三星官网发布消息称,三星电子已经成功完成5纳米(nm)极紫外光刻(EUV)开发,以实现芯片的更大面积扩展和带来超低功耗。
三星电子称,其5nmFinFET工艺技术的开发已经完成,现在可以为客户提供样品。通过在其基于EUV的工艺产品中添加另一个尖端节点,三星称再次证明了其在先进晶圆代工市场的领导地位。
与7nm相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,从而能够拥有更多创新的标准单元架构。
三星称,5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm知识产权(IP)重用到5nm。因此,7nm客户过渡到5nm将极大地受益于降低的迁移成本,预先验证的设计生态系统,从而缩短他们的5nm产品开发时间。
“成功完成5nm开发,我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力,”三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae说。“为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求,以区分其下一代产品,我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”
- 责任编辑:张建鑫
- 最后更新: 2019-04-16 13:50:52
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