原材料上局部实现技术突破

姚力军曾就职于霍尼韦尔公司，担任过霍尼韦尔公司电子材料部门日本生产基地总执行官和霍尼韦尔公司电子材料事业部大中华区总裁。 2005年姚力军带领多名专家回国创业从事高纯度溅射靶材的研发。

高纯度溅射靶材是半导体芯片制造中的关键材料，制作芯片需要的金属靶材纯度则需要达到更高的99.9999%，目前全球只有四家公司掌握这种材料的制造工艺。

靶材的生产制造要经过反复多次特点方向的变形，对金属内部的微观组织结构进行控制，这种控制决定了靶材的可靠性和稳定性，通过工艺改变了晶体的排列方式，使其适合用来做半导体芯片的方向。

在过去，高纯金属原材料依赖进口，在研发靶材的过程中，姚力军团队曾经试图向美国霍尼韦尔和日本大阪钛业购买高纯钛金属，但国外企业根本不卖。这使得姚力军只能自己从零开始研发高纯钛金属和相关生产设备。并最终实现从工艺到大型设备都是国内自主设计。

比如焊接设备，钛铜等金属要经过700度以上高温和120兆帕压力进行大面积焊接，整个过程需要16小时。虽然工艺还叫焊接，但实际上，是让不同金属在高温高压下，通过接触面上的原子扩散实现无缝连接，中间不需要任何焊料，这种焊接的强度可以达到200兆帕，是普通钎焊的10倍以上，只有这样的焊接才能使材料更纯净。

以前这种加工必须送到日本去代工，加工一炉要5万元，现在加工一炉只要8000元。再比如超高纯钛熔铸设备，能在1800多摄氏度下提纯材料，金属钛融化提纯后，最后凝固成钛锭，在技术上国内已经达到美国和日本的水平。目前，姚力军的江丰电子已授权的发明专利超过140多项。全球有270家企业采用了姚力军的高纯度溅射靶材。

虽然国内在原材料和半导体设备上和国外的差距非常大，但随着晶圆代工、封装测试和IC设计正逐步向东亚乃至中国转移，以及中国在这方面不断加大投入，如果外国政府不从中作梗，半导体设备和原材料向中国转移只是时间问题。本次国内企业在局部领域取得的技术突破，就是国内逐步实现半导体设备和原材料国产化替代的一部分，随着时间的推移，类似的技术突破将会越来越多，并最终从量变转化为质变。

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