1月8日上午 ，2015年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂隆重举行，以南昌大学为第一完成单位的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获国家技术发明一等奖。南昌大学江风益教授作为项目第一完成人上台接受习近平主席的颁奖。这是该奖项中唯一的一项一等奖，同时也是江西省第一个国家技术发明一等奖。

南昌大学硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管的诞生，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。“中国芯”与日美技术形成全球三足鼎力之势，打破了日本蓝宝石衬底、美国碳化硅衬底长期垄断国际LED照明核心技术的局面。

2015年度国家科学技术奖颁奖典礼本周五（8日）在北京人民大会堂举行。国家科学技术奖包含五大奖项：国家最高科学技术奖、国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科技进步奖和国际科技合作奖五项大奖。 技术发明奖主要奖励在产品、工艺、材料、系统等几方面做出重大技术发明的项目和公民。

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继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家

1996年，经过三年时间的技术跟踪，江风益决定带领团队转向自主核心技术的研发，在一个欠发达省份的地方高校中，拉开了从事GaN蓝光LED研究、自主创造光明“中国芯”的序幕。历经19年的科研攻关，在LED照明技术上取得突破性成果，成功研发出硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管，并在市场应用上取得明显经济效益和社会效益，走出了一条“硅基发光，中国创造”的新路线。

世界上第一支LED诞生于1962年，正式作为照明光源，是日本在1993年取得的突破，这项蓝宝石衬底GaN基蓝光LED技术获得2014年诺贝尔奖。1995年，美国成功研发碳化硅衬底GaN基蓝光LED技术，获得2003年美国总统技术发明奖。而南昌大学硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管的诞生，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。“中国芯”与日美技术形成全球三足鼎力之势，打破了日本蓝宝石衬底、美国碳化硅衬底长期垄断国际LED照明核心技术的局面，中国为之骄傲，世界为之震动。

2014年诺贝尔物理学奖被授予了日本科学家赤崎勇、天野浩和美籍日裔科学家中村修二，以表彰他们发明了蓝色发光二极管（LED），并因此带来的新型节能光源。

在相同照明效果下，半导体照明（LED）比传统光源节能40%—90％，寿命比传统光源长10倍以上，具有较强的节能效益和经济效益。据行业人士介绍，我国半导体照明产业市场规模预计2020年达1.2万亿元。“十三五”期间,江西省将以这项发光技术为核心，重点建设“南昌光谷”，致力打造千亿LED产业。

硅衬底蓝光LED如何发光？

硅衬底。研究团队就要在这个衬底上加上特有的LED材料，让他发光

工作人员小心地用专用工具将硅衬底放入机器内。在这个机器里通过温度控制、气体的添加，硅衬底上将“长出”一层特有材料。