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中芯国际的先进制程染指哪些领域?
集微网消息(文/Oliver),9月19日,在2019中芯国际技术研讨会上,中芯国际市场及海外销售副总裁Kelvin Low表示,中芯国际的14nm FinFET工艺良率正不断爬坡,产能也正成指数级增长。
Kelvin Low表示,在每一个工艺节点,中芯国际都在针对不同的应用需求来推出不同IP产品,例如MCU、基站等横向应用领域。虽然MCU现在可能只会应用到55nm和40nm工艺,但Kelvin透露,目前也有客户在考虑采用FinFET技术,所以未来FinFET技术拥将有很大的市场。
目前,中芯国际的14nm已经进入了客户风险量产阶段,12nm也已经进入了客户导入阶段。那么12nm相较于14nm有何提升呢?
Kelvin表示,中芯国际致力于帮助客户打造低功耗、高性能的产品,而功耗的表现需要从多个维度去比较。具体来看,中芯国际的12nm相较于14nm能将芯片尺寸缩小10%,动态功耗降低10%,静态功耗降低36%。
虽然射频和车用电子目前还没有用到先进工艺,但Kelvin认为,除了MCU,这两个领域很快也会使用到14nm和12nm,中芯国际从工艺到封装都已经做好了准备。
赵海军:两年之内必将出现电流计算的3nm技术
中芯国际联合CEO赵海军博士在2019中芯国际技术研讨会上讲到,有好的设备中芯国际工艺也能很快的升级换代,因为器件并不需要更新。业界两年之内一定会出现3nm,但是是电流计算的3nm。
赵海军博士表示,中芯国际要做快速跟随者,要做第二梯队的第一名。他指出,市场上主要有引领者、挑战者、跟随者和利基者四个角色,而中芯国际要做快速的跟随者,要做第二梯队的第一名。
关于集成电路代工产业发展趋势,赵海军指出,在智能手机的驱动下,由于当今的工艺已经不需要做新器件,所以基本能做到一年一代。也因此,如果有好的设备,中芯国际也能很快的升级换代。
另外,赵海军还表示,业界两年内一定会会出现3nm工艺,因为他们已经做得差不多了。不过3nm是电流计算的3nm。
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- 责任编辑: 吕栋 
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