（文/观察者网 吕栋）“中国的创新与设计能力正以高速赶上世界领先水平。为充分利用中国市场的增长潜力，该集团计划继续深化与中国客户的合作。”3月31日晚，芯片制造商中芯国际（00981.HK）在2019年财报中提到。

财报援引IHS Markit数据显示，中国集成电路设计市场2019年规模约400亿美元，并将在2023年达到860亿美元，年复合增长率超21%。

去年，中芯国际中国业务的营收占比达到59.5%。观察者网注意到，尽管总收入下降7.3%，但基于其在华的战略位置，该公司顺势将2020年的增长率目标定为11%至19%，并计划将毛利率维持在20%，保持盈利。

图源：视觉中国

值得一提的是，在工艺制程方面，中芯国际14nm已贡献营收的1%；N+1的研发进程稳定，已进入客户导入及产品认证阶段。后者也被外界认为相当于台积电的第一代7nm工艺。

市场角逐上，观察者网1月报道，中芯国际已经“挤走”台积电，夺得华为旗下芯片企业海思半导体的14nm FinFET工艺芯片代工订单。

财报截图

“7nm”已进入客户导入

“2019年，全球宏观形势出现了许多不确定性。”财报《致股东的信》开篇提到。而在对2020年展望中，中芯国际指出，新冠病毒疫情给2020年的开始蒙上一层阴影，“然而我们相信，展望未来，中国将继续扩大其于半导体业中的角色”。

财报披露，在经营环境挑战颇大的情况下，2019年实现营收31.2亿美元，同比下降7.3%；实现净利润2.35亿美元，同比增长75%；当期毛利率为20.6%，比上年同期下降1.6个百分点；另外，年内经营活动所得现金为10.2亿美元，同比增长27.5%。

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研发方面，中芯国际2019年的研发投入为再创新高的6.9亿美元，同比增长4.5%，占营收比例约22%。

中芯国际在财报中表示：当年在先进制程研发取得突破性进展。第一代14nm FinFET技术已进入量产，上季度贡献约1%的收入，预计在2020年稳健上量；第二代FinFET技术平台持续客户导入。

财报中透露，中芯国际更先进的FinFET技术开发进展速度加快。其开发了14/12nm 多种特色工艺平台，N+1的研发进程稳定，已进入客户导入及产品认证阶段。

值得注意的是，N+1被外界认为就是中芯国际的7nm工艺。

福布斯中文网3月11日的报道就指出，中芯国际的7nm工艺发展跟台积电的路线差不多，7nm节点一共发展了三种工艺，分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+。

其中，N+1对应的就是低功耗的N7，N+2对应的就是高性能的N7P。

2月14日，在中芯国际2019第四季度电话财报会议中，其联合CEO梁孟松博士透露，N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

“所以在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺提升较小，市场基准性能提升应该是35%。所以，中芯国际的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。”他当时说。

2018年5月，中芯国际曾向荷兰阿斯麦尔（ASML）订购一台最新型的EUV光刻机，价值高达1.5亿美元，原计划在2019年初交付。在美国方面阻扰之下，这项交易至今仍未完成。

因此，也有人质疑没有EUV光刻机，中芯国际就无法实现下一代制程研发。

不过，梁孟松在上述财报会议中，当下的计划中，N+1和N+2工艺都不会使用EUV设备，等到设备就绪以后，N+2才会转而使用EUV设备。

上述报道中提到，中芯国际计划于今年四季度进行“FinFET 7nm”的初始生产。如果“7nm”工艺到年底顺利实现量产，这意味着中芯国际与台积电的工艺差距进一步缩小，后者已于两年前实现7nm的量产。

而在3月初，英特尔首席财务官George Davis对投资者承认其已经落后于竞争对手，要赶上至少需要2年。英特尔的10nm一直“难产”，计划将于2021年推出7nm工艺，5nm工艺还未明确推出时间。

也就是说，中芯国际有望领先英特尔。

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