中国64层NAND量产后，三星赴陕再投563亿建最大闪存基地

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中国64层NAND量产后，三星赴陕再投563亿建最大闪存基地

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2019-12-11 17:16:21 字号：A- A A+ 来源：观察者网

最后更新: 2019-12-11 17:17:36

（观察者网讯文/吕栋编辑/尹哲）

尽管关闭了最后一家手机工厂，但三星在华布局并未停歇。

据西安晚报12月11日报道，三星电子西安闪存芯片（NAND）项目二期第二阶段80亿美元（约合人民币563亿元）投资10日正式启动。

报道称，二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

据介绍，三星电子西安闪存芯片项目一期投资108亿美元，建成存储芯片项目和封装测试项目。二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。

观察者网查询DRAMeXchange数据发现，2018年，三星占全球NAND市场份额的35%，其与美光和SK海力士等厂商几乎垄断市场供应。

中国首款64层3D NAND闪存9月量产

值得一提的是，今年9月2日，紫光集团旗下长江存储宣布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

紫光集团称，这是中国首款64层3D NAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。

科工力量专栏作者铁君曾在文中提到，由于中国企业在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂所垄断，特别是韩国企业拥有非常高的市场份额，这直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响。

文章认为：“本次长江存储量产64层NAND，一定程度上缓解了三星、SK海力士、美光等公司的垄断局面，在当下的国际环境下，格外具有意义。”

据该文介绍，由于紫光的64层NAND性能逼近国际大厂的96层3D NAND，因而可以直接在商业市场与外商竞争。文章还提到，紫光或跳过96层NAND，直接研发128层NAND，力争在技术上进一步缩短与外商的差距。但目前还未得到官方的证实。

“目前，长江存储只是技术上取得了突破，而且产能也比较有限。相对于三星、SK海力士、镁光、英特尔等国际大厂，无论在技术上，还是在市场份额上都有一定差距。长江存储在原材料、设备等方面对外商有较大依赖，在实现不被卡脖子方面依然任重道远”。

据业界传言，2020年底，长江存储产能有望提升至月产6万片晶圆的规模。

本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。
标签三星
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