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余鹏鲲:国产光刻设备为何引起轩然大波 该如何宣传技术突破
关键字:导读消息刚出的第一天舆论的反应也几乎都以赞扬为主,可很快由于报道中缺少一些关键信息质疑的声音多了起来,而且其中不乏理性的声音。但在针对本次自主光刻设备是否能应用到现有的电子芯片生产中以及该自主光刻设备是否是“世界首台”的质疑中,该行业匿名专家的批评显得过于机械和严厉了。【文/ 科工力量专栏作者 余鹏鲲】
12月1日,《解放军报》刊登了一条重量级的消息,中科院光电所可加工22nm芯片的“‘超分辨光刻装备项目’通过国家验收”。在不长的新闻通稿中,军报以“该光刻机”形容该光刻装备项目的成果。军报下属的新媒体平台早在11月29日就公布了这个好消息。
(自主研制的超分辨光刻镜头)
年初的“中兴事件”暴露出我国基础软硬件尚有若干短板,其中半导体制造的短板尤为突出。而半导体制造的核心装备高端光刻机几乎完全被荷兰ASML垄断,因此国产自主光刻机研制成功的消息无疑令关心中国信息产业发展的人倍感振奋。
消息刚出的第一天舆论的反应也几乎都以赞扬为主,可很快由于报道中缺少一些关键信息质疑的声音多了起来,而且其中不乏理性的声音。
想要更客观地评价自主超分辨光刻装备项目的诞生对中国半导体制造产业的意义,就势必要对上述正反两面的观点进行一个梳理。
因此笔者目前只能做排除法,对荒谬的看法进行驳斥,对值得商榷的观点提出自己的意见。
有些正面报道和解读还需继续思考和深化
值得注意的是,目前官方出于保密等种种原因披露的消息仍然偏少,因此还无法真正完全准确客观地对该自主光刻设备进行评价。目前公开的消息虽然非常激动人心,但对于少数性能和产业化方面的关键内容还缺乏详细的陈述和数据的支撑。
比如军报记者说到该光刻设备“光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技术后,未来还可以用于制造10纳米级别的芯片”。由于分辨力与各大半导体制造厂的宣称制程之间存在较大的差异,因此这句话事实上存在前后矛盾的问题,这点也成为质疑者提出的最有力的问题。
目前各大半导体制造商宣称的线宽和早期半导体制造所使用线宽一词存在很大的差异,其实际生产芯片的典型线宽往往要宽于宣称的工艺制程不少。根据著名的电子行业情报咨询公司TechInsights 2016年的一份调查,宣称制程达到14/16nm的公司中,英特尔的典型线宽最小为24nm,三星和台积电的典型线宽还要大得多。
(各半导体制造商的典型线宽都比宣称的制程要大)
由于目前只有台积电和三星量产了宣称达到10纳米制程的产品,其典型线宽按披露的数据看大约在22-26纳米之间,因此22纳米的线宽分辨力实际上就是10纳米级别的芯片。上述报道中存在的矛盾之处确实需要相关人士进行解释。
赞美该自主光刻设备的人群有一种看法就是该项目所采用的表面等离子体(SP)光刻加工技术远优于现行的现在的光刻机,随着技术的发展必将对现有技术形成吊打。
某网站将其形容为原理性的胜利,并且认为现阶段自主光刻机与ASML的光刻机相比是不完善的火药枪与弓箭的差别。
标签 半导体-
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- 责任编辑:孙武
- 最后更新: 2018-12-04 10:49:48
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